发明名称 半导体处理腔室
摘要 一种半导体制程处理系统,其包括真空锁(load lock)、传送室、以及一或多个处理腔室;其中,传送室位于真空锁与处理腔室之间,并且处理腔室可围绕传送室设置;传送室配备传送装置。本发明可只藉由传送装置之运动,而不需要真空锁或处理腔室在垂直方向之运动,即可完成工件装卸或交换动作。因此,可更加迅速及低成本地装卸及交换工件,提高产能。本发明亦公开一种采用特殊设计之进排气系统的处理腔室,使得处理腔室内之各处理平台之间形成反应气体幕障,可改良各处理平台之间的均一度,避免了不同处理平台之间的反应气体交互干扰。
申请公布号 TWI413153 申请公布日期 2013.10.21
申请号 TW098125566 申请日期 2006.01.27
申请人 中微半导体设备(亚洲)有限公司 开曼群岛 发明人 陈爱华
分类号 H01L21/02;H01L21/677 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 开曼群岛