发明名称 发光二极体及其制造方法
摘要 一发光二极体包括一磊晶层结构、一第一电极及一第二电极。该第一及第二电极分隔地设置在该磊晶层结构上,该第一电极形成在该磊晶层结构的一表面其具有一方均根粗糙值小于约3奈米。
申请公布号 TWI413278 申请公布日期 2013.10.21
申请号 TW098110700 申请日期 2009.03.31
申请人 东芝技术中心股份有限公司 日本 发明人 林朝坤
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本