混成矽晶圆

摘要

本发明系一种混成矽晶圆，其为矽晶圆，其特征在于：藉由单向凝固熔解法而制作之多晶矽之主面方位为(311)，且该混成矽晶圆具有于该多晶矽中嵌入有单晶矽之结构。本发明之混成矽晶圆系如申请专利范围第1至3项中任一项之混成矽晶圆，其中多晶矽部不计气体成分之纯度为6 N以上，且金属杂质之总量为1 wtppm以下，金属杂质中之Cu、Fe、Ni、Al分别为0.1 wtppm以下。本发明之课题在于提供一种具备多晶矽晶圆与单晶晶圆二者之功能之混成矽晶圆，且抑制多晶矽与单晶矽之研磨阶差或较大之凹凸之产生。