发明名称 座标侦测装置
摘要 在一座标侦测设备中,一电阻膜系形成于由一绝缘材料制成的一基板上。一共同电极将一电压施加至该电阻膜,该共同电极沿藉由移除该电阻膜之部分所形成的复数个电阻膜移除区域而延伸。一电压施加部分将该电压施加至该共同电极。该电压系透过该共同电极从该电压施加部分施加至该电阻膜以在该电阻膜内产生一电位分布。接触该电阻膜所处之一接触位置之一座标位置系藉由在该接触位置处侦测该电阻膜之一电位来加以侦测。
申请公布号 TWI412988 申请公布日期 2013.10.21
申请号 TW098113070 申请日期 2009.04.20
申请人 富士通电子零件有限公司 日本 发明人 近藤幸一;古川正三;关泽光洋;中岛孝
分类号 G06F3/045 主分类号 G06F3/045
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 日本