发明名称 发光二极体
摘要 一种发光二极体,其包括:一基底;一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面,且所述第一半导体层靠近基底设置;一第一电极与所述第一半导体层电连接;一第二电极与所述第二半导体层电连接;所述第一半导体层在与所述基底结合的表面形成复数奈米级的凹槽,所述第一半导体层与基底之间构成复数奈米级的孔洞,一奈米碳管层设置于所述第一半导体层及基底之间,所述奈米碳管层设置于该孔洞内。本发明提供的发光二极体的光取出效率较高。
申请公布号 TWI413281 申请公布日期 2013.10.21
申请号 TW100116301 申请日期 2011.05.10
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 魏洋;范守善
分类号 H01L33/14;H01L33/20 主分类号 H01L33/14
代理机构 代理人
主权项
地址 新北市土城区自由街2号