| 摘要 |
本发明揭示一种使用一成膜装置之方法，其执行一第一成膜制程，同时供应一第一成膜气体至一制程容器内的一处理场中，从而在该处理场内的一第一目标基板上形成一第一薄膜。在从该制程容器卸载该第一目标基板之后，该方法执行该制程容器之一内部的一清净制程，同时供应一清净气体至该处理场中，并且藉由一激发机构产生该清净气体之电浆。接着，该方法执行一第二成膜制程，同时供应一第二成膜气体至该处理场中，从而在该处理场内的一目标基板上形成一第二薄膜。该第二成膜制程系一电浆成膜制程，其藉由该激发机构产生该第二成膜气体之电浆。 |
