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发明名称
蚀刻液再生装置
摘要
本发明之蚀刻液再生装置可以从蚀刻液中以较高之去除率除去矽化合物,不处置蚀刻液而进行再利用。该蚀刻液再生装置具备:雾化手段(11),系将取出之蚀刻液雾化;及分离手段(12),系将经由雾化所析出及/或凝聚之蚀刻液中之矽化合物从蚀刻液分离除去以获得再生蚀刻液。此外,具备进行蚀刻液之温度调节之温度调整手段(23),系控制蚀刻液经雾化手段(11)雾化时之矽化合物之析出及/或凝聚,藉由分离手段(12)从蚀刻液分离除去矽化合物以调节矽化合物之残留浓度,可任意调节矽化合物浓度。
申请公布号
TWI416616
申请公布日期
2013.11.21
申请号
TW097131691
申请日期
2008.08.20
申请人
化学艺术技术股份有限公司 日本
发明人
渡部博
分类号
H01L21/306;C23F1/46
主分类号
H01L21/306
代理机构
代理人
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址
日本
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