| 发明名称 |
铪系化合物、铪系薄膜形成材料以及铪系薄膜形成方法 |
| 摘要 |
本发明系提供，常温为液体，然而富于安定性，可进行原料的安定供给，可安定地形成高品质的铪系薄膜之技术。;一种铪系薄膜形成材料，其系以下述通式[I]所示化合物：通式[I]：;LHf(NR1R2)3;其中，L为环戊二烯基或取代环戊二烯基，R1、R2为烷基，R1与R2可互相不同亦可相同。 |
| 申请公布号 |
TWI415855 |
申请公布日期 |
2013.11.21 |
| 申请号 |
TW095144383 |
申请日期 |
2006.11.30 |
| 申请人 |
三化科技股份有限公司 日本 |
发明人 |
平木忠明;三桥智;太附圣;椿谷晓人;金炳洙;刘昇镐 |
| 分类号 |
C07F7/00;C23C16/40;H01L21/316 |
主分类号 |
C07F7/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
