双向矽控整流器

摘要

一种双向矽控整流器，包括第一导电型态之基板，位于基板上且呈第二导电型态之埋入层、位于埋入层上且呈第一导电型态之第一井与第二井、位于第一井与第二井之间且呈第二导电型态之第三井，与位于第一半导体区与第三半导体区之间且呈第二导电型态之掺杂区域。掺杂区域包括部分之第三井。此种双向矽控整流器藉由改变半导体载子浓度或使用标准制程中不同载子浓度之半导体，调节其接面之崩溃电压，可解决积体电路之I/O电压远高于工作电压时，不会有误动作的问题发生，并达成面积小与高静电防护之效，藉此解决知矽控整流器触发电压受限之问题。