| 摘要 |
实施形态的半导体装置，系具备：第1导电形的第1半导体层；第2导电形的第2半导体层，系设置于前述第1半导体层上；第1导电形的第3半导体层，系设置于前述第2半导体层上；埋入电极，系从前述第3半导体层的表面，贯通前述第2半导体层，于到达前述第1半导体层之第1沟内，隔着第1绝缘膜而设置；及控制电极，系于前述第1沟内，于前述埋入电极上，隔着第2绝缘膜而设置。实施形态的半导体装置，系具备：第2导电形的第4半导体层，系从前述第3半导体层的表面，贯通前述第2半导体层，连接于到达前述第1半导体层之第2沟的下端，选择性设置于前述第1半导体层内；第1主电极，系电性连接于前述第1半导体层；及第2主电极，系设置于前述第2沟内，连接于前述第2半导体层、前述第3半导体层、前述第4半导体层。前述埋入电极，系电性连接于前述第2主电极或前述控制电极之任一方；于前述第2沟的侧壁中，形成有前述第2主电极与前述第1半导体层所致之肖特基接合。 |
