发明名称 光电装置之制造方法
摘要 一种光电装置,包括一基板以及具有露出该基板之一部之两个或两个以上之开口之一介电材料,该两个或两个以上之开口分别具有至少为1之一深宽比。包括晶格不相称于该基板之一化合物半导体材料之一底部二极体材料占据了该两个或两个以上之开口并于该两个或两个以上之开口之上接合以形成一底部二极体区域。上述装置更包括一顶部二极体材料以及位于该顶部二极体材料与该底部二极体材料之间之一主动二极体区。
申请公布号 TWI427830 申请公布日期 2014.02.21
申请号 TW099122432 申请日期 2010.07.08
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 发明人 罗特费尔德 安东尼J
分类号 H01L33/12;H01L31/0328;H01L31/075;H01L31/18 主分类号 H01L33/12
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号