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本发明揭示针对具有一浮动主体之一记忆体单元之方法、装置及系统。一记忆体单元可包含一电晶体，该电晶体在一绝缘层上方且包含一源极及一汲极。该记忆体单元亦可包含一浮动主体，该浮动主体包含位于该源极与该汲极之间的一第一区、远离该源极及汲极中之每一者定位之一第二区及一通道，且该通道延伸穿过该绝缘层且将该第一区耦合至该第二区。另外，该记忆体单元包含一偏压闸极，该偏压闸极至少部分地围绕该第二区且经组态以可操作地耦合至一偏压电压。此外，该记忆体单元可包含复数个电介质层，其中该第二区之每一外部垂直表面具有毗邻于其之该复数个电介质层中之一电介质层。 |
