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发明名称
发光二极体封装结构
摘要
一种发光二极体封装结构,其包括一基板、形成于基板上的三发光晶片及分别位于至少二发光晶片的光路上的至少二萤光粉层,每一发光晶片包括一第一N型半导体层、一P型半导体层及一位于P型半导体层及N型半导体层之间的发光层,任一发光晶片的发光层面积与其最终出射光在三发光晶片的混光中所占的比重成正比。本发明的发光二极体封装结构的电路结构较为简单,可节省整体成本。
申请公布号
TWI427834
申请公布日期
2014.02.21
申请号
TW099129364
申请日期
2010.08.31
申请人
荣创能源科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号
发明人
洪梓健;沈佳辉
分类号
H01L33/48
主分类号
H01L33/48
代理机构
代理人
主权项
地址
新竹县湖口乡新竹工业区工业五路13号
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