发明名称 供薄膜型太阳能电池用之半导体结构组合及其制造方法
摘要 本发明揭露一种供一薄膜型太阳能电池用之半导体结构组合及其制造方法。根据本发明之半导体结构组合包含一基板、一多层结构以及一钝化层。该基板具有一上表面。该多层结构系形成于该基板之该上表面上。该多层结构包含一p-n接面、一p-i-n接面、一n-i-p接面、一双接面或一多重接面。该钝化层系藉由一原子层沈积制程及/或一电浆增强原子层沈积制程(或一电浆辅助原子层沈积制程)形成于该多层结构之一最顶层上。
申请公布号 TWI427811 申请公布日期 2014.02.21
申请号 TW097117665 申请日期 2008.05.14
申请人 中美矽晶制品股份有限公司 新竹市科学工业园区工业东二路8号;陈敏璋 台北市中正区辛亥路1段7巷11号3楼 发明人 陈敏璋;徐文庆;何思桦
分类号 H01L31/06;H01L31/042 主分类号 H01L31/06
代理机构 代理人 陶霖 台北市文山区景兴路202巷8号5楼
主权项
地址 台北市中正区辛亥路1段7巷11号3楼