具有量子点嵌于能量屏障中之中段光感装置

摘要

一第一半导体材料之复数个层与复数个带点篱屏障系布置于一第一电极与一第二电极之间的一堆叠中。每一带点篱屏障本质上由嵌于一第三半导体材料之两个层之间并与其直接接触的一第二半导体材料之复数个量子点组成。该等量子点之波函数重叠为至少一中段。该第三半导体材料之层系配置为穿隧阻障以要求该第一材料之一层中的一第一电子及/或一第一电洞执行量子力学穿隧以达到一个别量子点内的第二材料，并要求该第一半导体材料之一层中的一第二电子及/或一第二电洞执行量子力学穿隧以达到该第一半导体材料之另一层。