发明名称 METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL
摘要 <p>실리콘 단결정 성장 방법에 관한 것으로, 실리콘 융액(silicon melt)을 형성하는 단계와, 실리콘 융액에 실리콘보다 융점이 낮은 도판트(dopant)를 주입하는 단계와, 도펀트가 주입된 실리콘 융액에 대해, 넥(neck), 숄더(shoulder), 및 바디(body)의 순서로 실리콘 단결정을 성장시키는 단계를 포함하고, 실리콘 단결정 성장시, 넥의 길이를 35 - 45cm로 제어하고, 불활성 기체 대비 압력의 비율을 1.5 이하로 제어할 수 있다.</p>
申请公布号 KR101390797(B1) 申请公布日期 2014.05.02
申请号 KR20120001581 申请日期 2012.01.05
申请人 发明人
分类号 C30B15/04;C30B29/06 主分类号 C30B15/04
代理机构 代理人
主权项
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