类垂直式发光二极体及其制作方法

摘要

本发明系一种类垂直式发光二极体及其制作方法，本发明类垂直式发光二极体是将发光外延层先完成大部份的晶圆结构后，在晶圆正面镀上绝缘层再晶圆键合在支撑基板上，通过机械研磨晶圆背面蓝宝石衬底至一定厚度后，在其表面以电浆乾法刻蚀形成一粗糙面，然后在蓝宝石衬底上形成通孔，再利用金属将此通孔加以回填，使上下电气导通。本发明保留了蓝宝石衬底，避免了垂直结构发光二极体因雷射剥离衬底所造成的发光外延层损伤和省去倒装结构发光二极体植球固晶等繁琐的技术难度。具有高散热晶圆键合基板降低热阻和高反射DBR层增加光取出效率。

主权项

一种类垂直式发光二极体制作方法，该方法系提供一散热支撑基板以及一含正面和背面的蓝宝石衬底，包含以下步骤：a.利用电浆乾法刻蚀在蓝宝石衬底的正面形成第一粗糙面；b.在该第一粗糙面向外依次生长主要的N-GaN层、发光层、P-GaN层；c.在该P-GaN层上蒸镀一透明导电层形成欧姆接触；d.利用电浆乾法刻蚀使该N-GaN层曝露，并在该N-GaN层上蒸镀电极形成欧姆接触，构成晶圆基础；e.在晶圆正面蒸镀绝缘层；f.利用电浆乾法刻蚀部份绝缘层至透明导电层；g.在晶圆正面蒸镀晶圆键合金属介层和晶圆键合支撑基板；h.将晶圆背面的蓝宝石衬底机械研磨至一定厚度；i.在减薄后的蓝宝石衬底背面上，以形成第二粗糙面；j.从第二粗糙面雷射挖孔至N-GaN层上的电极，形成一通孔；k.将该通孔用金属加以回填，使上下电气导通；l.最后在回填的通孔上方蒸镀打线电极。