| 摘要 |
本発明の一実施例によると，基板に対する工程が行われる基板処理装置は，上部が開放され，一側に前記基板が出入する通路が形成される下部チャンバと，前記下部チャンバの開放された上部を閉鎖し，前記工程が行われる工程空間を提供する外部反応チューブと，一つ以上の前記基板が上下方向に積載され，前記基板ホルダ内に前記基板が積載される積載位置及び前記基板に対する前記工程が行われる工程位置に転換可能な基板ホルダと，前記外部反応チューブの内部に設置されて前記工程空間に向かって反応ガスを供給し，上下方向に沿って互いに異なる位相差を有する前記反応ガスの流動を形成するガス供給ユニットと，を含む。【選択図】図４ |
