| 摘要 |
シリコンウェハーの対応する領域を露出するウィンドウ（25）を有するマスキング層（24）、例えば二酸化ケイ素もしくは多結晶シリコン、を支持する主面（17）を有する単結晶シリコンウェハー（11）を用意すること、例えば、炭素を形成してそれを炭化ケイ素へと転換することによってウェハーの露出された領域上に炭化ケイ素シード領域（30）を形成すること、及び単結晶炭化ケイ素（31）を炭化ケイ素シード層領域上に成長させることを含む方法。このようにして単結晶炭化ケイ素をシリコンウェハー上に選択的に形成することができ、ウェハーの撓みを防止する。 |
