| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de réalisation d'un plot d'interconnexion (125) sur un élément conducteur (100) comprenant une face supérieure et une paroi latérale ; le procédé étant réalisé à partir d'un substrat (50) dont au moins la face supérieure est isolante ; l'élément conducteur (100) traversant au moins une partie isolante du substrat (50), le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend la séquence d'étapes suivantes : une étape de mise en relief de l'élément conducteur (100), une étape de formation au-dessus de la face supérieure isolante du substrat (50) d'un empilement de couches comportant au moins une couche électriquement conductrice (120) et une couche électriquement résistive (130), une étape de retrait partiel de la couche électriquement résistive (130), une étape de croissance électrolytique sur la partie de la couche électriquement conductrice (120) de sorte à former au moins un plot d'interconnexion (125) sur ledit élément conducteur (100).</p> |
