发明名称 PROCEDE DE REALISATION D'UN MOTIF DANS UN CIRCUIT INTEGRE ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT
摘要 <p>Selon un mode de mise enœuvre, le procédé comprend a) une formation dans ledit au moins un élément (1) d'au moins un bloc en saillie (BLC), b) un recouvrement dudit au moins un bloc en saillie (BLC) par une première couche de recouvrement (2) de façon à former au-dessus du bloc en saillie (BLC) un monticule concave (20) auto-aligné avec ledit bloc en saillie et tournant sa concavité vers le bloc en saillie, c) une formation dans le monticule (20) d'une première tranchée (TRI) auto-alignée avec le monticule et le bloc en saillie jusqu'à atteindre le bloc en saillie, d) une gravure (GR2) du bloc en saillie (BLC) utilisant le monticule (20) et sa première tranchée (TRI) comme masque de gravure de façon à former une deuxième tranchée (TR2) dans ledit bloc en saillie auto-alignée avec la première tranchée (TRI) et e) au moins un retrait du reliquat de première couche de recouvrement (2), ledit motif (MTF) comportant ladite deuxième tranchée (TR2) ainsi que les parties non gravées (BLCa, BLCb) du bloc en saillie délimitant ladite deuxième tranchée (TR2).</p>
申请公布号 FR3009430(A1) 申请公布日期 2015.02.06
申请号 FR20130057766 申请日期 2013.08.05
申请人 STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS 发明人 GOASDUFF YOANN;MARZAKI ABDERREZAK
分类号 H01L21/82;H01L21/30;H01L21/71;H01L27/10;H01L29/732 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人
主权项
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