发明名称 素子搭載用基板および半導体パワーモジュール
摘要 図3(A)に示すように金属基板120の上面において、近傍の領域が、点線で示す辺122を有する矩形で囲まれている。この辺122によって矩形の内と外を電気的に分離する。図3(B)の垂直断面図、図3(C)の水平面の断面図によれば、辺122の各点は金属基板120上面から下面へ貫通した柱状の絶縁樹脂123からなる。また隣接する絶縁樹脂123の柱の間および柱の周囲を埋めるように酸化膜130が形成される。すなわち分離層は、柱状の絶縁樹脂123、およびその間と近傍を埋める酸化膜130からなる。
申请公布号 JPWO2013018330(A1) 申请公布日期 2015.03.05
申请号 JP20130526745 申请日期 2012.07.26
申请人 三洋電機株式会社 发明人 加藤 桂史;田畑 修;岡山 芳央;臼井 良輔
分类号 H05K1/05;H01L23/12;H01L23/36;H01L25/07;H01L25/18;H05K1/02 主分类号 H05K1/05
代理机构 代理人
主权项
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