发明名称 真空処理装置及び真空処理方法
摘要 <p>プラズマ処理をおこなうときに、絶縁性基板を強く吸着保持できる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。接地された真空槽11と、真空槽11に接続された真空排気装置19と、真空槽11内部に配置された吸着装置40と、吸着装置40に設けられた単極3に出力電圧を印加する吸着用電源16と、真空槽11内にプラズマ生成ガスを導入するプラズマ生成ガス導入装置21と、プラズマ生成ガスをプラズマにするプラズマ生成部20とを有し、吸着装置40上に処理対象物6を配置して真空槽11内にプラズマを生成しながら吸着用電源16によって単極3に出力電圧を印加し、処理対象物6を吸着装置に吸着しながらプラズマによって処理する真空処理装置1であって、処理対象物6には絶縁性基板が用いられ、吸着用電源16は正電圧と負電圧とを周期的に変化した出力電圧を単極3に出力する。</p>
申请公布号 JPWO2013027584(A1) 申请公布日期 2015.03.19
申请号 JP20130529960 申请日期 2012.08.08
申请人 发明人
分类号 H01L21/3065;C23C16/458;H01L21/683 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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