| 摘要 |
<p>발광다이오드 및 그 제조방법이 개시된다. 상술한 발광다이오드 및 그 제조방법은 실리콘 기판 상에 반도체층을 돌출구조로 성장시켜 압전 효과가 감소되고 발광면적이 증가하는 효과가 있고, 돌출구조 사이에 활성층 또는 제2반도체층을 형성하여 별도의 평탄화 공정이 필요치 않고, 실리콘 기판 및 제1반도체층의 일부를 식각하여 별도의 요철화 공정 없이 광추출 효율이 향상되며, 기판 상의 구조물을 포함하는 기판을 기울여 제2전극을 배치하여 수직형 발광다이오드 공정과정을 단축시키는 효과가 있다.</p> |
