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<p>일부 실시예는 차례로, 제1 전극 물질, 제1 금속 산화물 물질, 제2 금속 산화물 물질, 및 제2 전극 물질을 포함하는 메모리 셀을 포함한다. 제1 금속 산화물 물질은 서로에 대하여 산소 농도가 상이한 적어도 두 영역을 가진다. 영역 중 하나는 제1 영역이고 다른 하나는 제2 영역이다. 제1 영역은 제2 영역보다 제1 전극 물질에 더 가깝고, 제2 영역보다 산소 농도가 더 크다. 제2 금속 산화물 물질은 상기 제1 금속 산화물 물질과 상이한 금속을 포함한다. 일부 실시예는 산소가 금속 산화물 물질의 영역으로부터 산소-싱크 물질로 실질적으로 비가역적으로 전달되는 메모리 셀 형성 방법들을 포함한다. 산소 전달은 금속 산화물 물질의 하나의 영역 안에서 다른 영역에 대하여 산소 농도를 상이하게 만든다.</p> |
