发明名称 THIN FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS
摘要 <p>(과제) 비교적 저온에서도 매입 특성이 양호하고, 또한 표면 러프니스의 정밀도도 향상하는 어모퍼스 상태의 불순물 함유의 실리콘막과 같은 박막을 형성하는 것이 가능한 박막의 형성 방법을 제공한다. (해결 수단) 진공 배기가 가능하게 이루어진 처리 용기(14) 내에서 피(被)처리체(W)의 표면에 시드막(88)과 불순물 함유의 실리콘막(90)을 형성하는 박막의 형성 방법에 있어서, 처리 용기 내로 아미노실란계 가스와 고차 실란 중 적어도 어느 한쪽의 가스로 이루어지는 시드막용 원료 가스를 공급하여 시드막을 형성하는 제1 스텝과, 처리 용기 내로 실란계 가스와 불순물 함유 가스를 공급하여 어모퍼스 상태의 상기 불순물 함유의 실리콘막을 형성하는 제2 스텝을 갖는다.</p>
申请公布号 KR101536226(B1) 申请公布日期 2015.07.13
申请号 KR20120107180 申请日期 2012.09.26
申请人 发明人
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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