发明名称 具介面周期结构之发光二极体
摘要
申请公布号 TWI493754 申请公布日期 2015.07.21
申请号 TW102125837 申请日期 2013.07.18
申请人 国立成功大学 发明人 许进恭;叶育翔
分类号 H01L33/18;H01L33/32 主分类号 H01L33/18
代理机构 代理人 欧奉璋 台北市信义区松山路439号3楼
主权项 一种具介面周期结构之发光二极体,系包括: 一基板,具有一平整之上表面,该上表面具有多个布植区及多个非布植区,且该些布植区系从该上表面延伸至该基板内部; 一缓冲层,配置于该基板上表面之非布植区上;以及一氮化镓磊晶层,配置于该缓冲层上,其内部埋入具有多个空气孔隙(Air Gaps)及倒置六方锥形(Inverted Hexagonal Pyramid)之氮化铝镓层(AlGaN),且该些空气孔隙系位于该些布植区上方。
地址 台南市东区大学路1号