半导体晶粒以及该晶粒的周围区域中形成具有变化的宽度的有机通孔的方法

主权项

一种制造半导体元件的方法，包含：提供复数个半导体晶粒，其藉由该复数个半导体晶粒的一周围区域中的一绝缘材料所分隔；形成于该周围区域的该绝缘材料之一第一开口至一第一深度；在该第一开口之上而形成于该周围区域的该绝缘材料之一第二开口至小于该第一深度的一第二深度，以形成具有一变化的宽度之一复合有机通孔(TOV)，其中该宽度随着含有比该绝缘材料和该半导体晶粒的厚度还小的高度之该复合有机通孔变化；沉积一传导材料于该复合有机通孔以形成一传导有机通孔；及移除该半导体晶粒的一背侧的一部分和该绝缘材料的一背侧的一部分以暴露该传导有机通孔。