| 主权项 |
一种形成间隔部的方法，在基板上由非氧化矽的含矽间隔部层形成该间隔部，该间隔部层具有水平表面与侧壁表面，该方法包含：[A]将该基板置入电浆蚀刻腔室内，其中，该腔室具有天线；[B]进行电浆氧化处理，以在该间隔部层上形成氧化矽包覆层；其中，该氧化矽包覆层在该间隔部层之水平表面上形成水平包覆层，并在该间隔部层之侧壁表面上形成侧壁包覆层；，其中，该进行电浆氧化处理的步骤包含：(B1)提供氧电浆；及(B2)执行下列步骤之至少一者：溅射矽，以利用该氧电浆形成氧化矽；及将该间隔部层的矽转变成氧化矽，其中，该溅射矽的步骤包括供应大于25伏特的偏电压到该基板；[C]进行非等向性主蚀刻，其相对于该间隔部层之侧壁表面及该氧化矽包覆层之侧壁包覆层，选择性地蚀刻该氧化矽包覆层与该间隔部层的水平表面；及[D]蚀刻该间隔部层，其中，该氧化矽包覆层的侧壁包覆层保护该间隔部层的侧壁表面；及[E]在蚀刻该间隔部层之后，自该电浆蚀刻腔室移除该基板；其中，该进行电浆氧化处理之步骤、该进行非等向性主蚀刻之步骤及该蚀刻间隔部层之步骤在该同一个使用天线的电浆蚀刻腔室内执行。
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