| 发明名称 |
用于制造光电半导体晶片之方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI497762 |
申请公布日期 |
2015.08.21 |
| 申请号 |
TW101135721 |
申请日期 |
2012.09.28 |
| 申请人 |
欧斯朗奥托半导体股份有限公司 |
发明人 |
赫特柯恩 乔琴;英格 卡罗;韩 柏索德;韦玛 安德烈斯;史陶斯 彼得 |
| 分类号 |
H01L33/30 |
主分类号 |
H01L33/30 |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;王彦评 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
| 主权项 |
一种用于制造半导体晶片(10)之方法，具有步骤：制备矽-生长基板(1)；藉由溅镀使III-氮化物-缓冲层(3)产生于该生长基板(1)上；及在该缓冲层(3)上生长具有活性层(2a)之III-氮化物-半导体层序列(2)；其中该缓冲层(3)以AlN为主且直接施加在该生长基板(1)上；将氧添加至该缓冲层(3)，氧重量比系介于0.1%(含)和10%(含)之间；以及其中该缓冲层(3)中之氧份量在由该生长基板(1)离开之方向中单调地减少。
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| 地址 |
德国 |
