电浆蚀刻方法,申请号TW100148896-传众专利搜索

发明名称	电浆蚀刻方法
摘要
申请公布号	TWI497586	申请公布日期	2015.08.21
申请号	TW100148896	申请日期	2011.12.27
申请人	日立全球先端科技股份有限公司	发明人	渡边智行;药师寺守;森本未知数;小野哲郎
分类号	H01L21/3065	主分类号	H01L21/3065
代理机构		代理人	林志刚台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项	一种电浆蚀刻方法，其系相对于氧化矽膜，将氮化矽膜作选择性蚀刻，该电浆蚀刻方法之特征为：使用含有：氟碳气体、含氧气体、及SiF4气体的混合气体，对前述氮化矽膜进行蚀刻。
地址	日本