| 主权项 |
1﹒一种为生产具一第二多结晶性陶瓷成分之自承式陶瓷结构之方法,其包含步骤:(a)提供的自承式陶瓷本体包含(i)于一熔化母金属和一氧化剂之氧化所形成的一多结晶性的氧化反应产物,其中该母金属包括至少一金属选自由铝、釸、钛、锡、锆及铪所组成之族群,及(ii)从该陶瓷本体的一个或多个表面为至少有部分为可接达的交连多孔性;(b)将一第二多结晶性的陶瓷成分置入该多孔性之至少之一部分,以形成包含有该第二陶瓷成分的陶瓷本体者。22﹒一种为生产具一第二多结晶性陶瓷成分之自承式陶瓷结构之方法,其包含步骤:(a)提供的自承式陶瓷本体包含(i)于一熔化母金属和一氧化剂之氧化所形成的一多结晶性的氧化反应产物,其中该母金属包括至少一金属选自由铝、釸、钛、鍚、锆及铪所组成之族群,及(ii)从该陶瓷本体的一个或多个表面为至少有部分为可接达的交连多孔性;(b)将该陶瓷本体之一表面或多表面与大量之母质至能渗入至少一部分该交连多孔性之陶瓷材料作接触;及(C)将至少一部分该交连多孔性渗透入至少一部分该母质之该量,并促使该陶瓷材料形成具该第二陶瓷成分之陶瓷个体之形成者。3﹒如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中母金属包括铝,而多结晶性的氧化反应产物包括氧化铝者。4﹒如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中在该陶瓷被以该第二陶瓷成分浸渍以前,其交连多孔性为该陶瓷体积之约5%至45%之间者。5﹒如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中交连多孔性是藉由实质上完全耗尽该熔化母金属而形成,因而于在步骤(a)所形成之至少部份陶瓷本体中产生交连多孔性者。6﹒如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中交连多孔性是藉由在将该第二陶瓷成分配置前,将步骤(a)中所形成之该陶瓷本体与一沥虑剂接触以溶出或散开交连金属而形成者。7﹒如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中该第二陶瓷成分包括氧化铬及氧化矽之至少其一者。8﹒如申请专利范围第1项或第2项所述之方法,其中在步骤(a)中所形成之该多结晶性化反应产物及嵌埋至少一填料者。9﹒一种自承式瓷本体,其包含:于母金属和氧化剂的氧化所构成的多结晶体氧化反应产物,其中该母金属包括至少一金属选自由铝、矽、钛、鍚、锆及铪所组成之族群,且占有的交连多孔性,从该陶瓷本体的一个或多个表面至少有部分为可接达的;及配置于至少一部分该多孔性中之该第二陶瓷成分者。10﹒如申请专利范围第9项所述之自承式陶瓷本体,其中该第二陶瓷成分包括氧化铬及氧化矽之至少其一者。11﹒如申请专利范围第9项所述之自承式陶瓷本体,其更包括至少一填料者。 |
