| 摘要 |
<p>공정을 단순화한 스트레스 생성층을 갖는 반도체 소자의 제조방법을 개시한다. 반도체 기판의 제1영역의 제1게이트 양측 상기 반도체 기판에 제1도전형의 제1불순물 영역을 형성하고, 제2영역의 상기 제2게이트 양측 상기 반도체 기판에 제2도전형의 제2불순물 영역을 형성한다. 상기 제1 및 제2게이트들의 양측벽들에 제1 및 제2스페이서들을 형성한다. 상기 제1 및 제2불순물 영역들과 접하도록 상기 반도체 기판의 일부분들에 제1 및 제2반도체층들을 형성한다. 상기 제2반도체층을 제거한다. 절연막의 제1 및 제2콘택홀들내에 제1 및 제2배리어막들을 형성한다.</p> |
