发明名称 |
EUV放射線発生装置および該EUV放射線発生装置のための運転法 |
摘要 |
本発明は、EUV放射線発生装置(1)であって、EUV放射線(14)を発生させるために、ターゲット材料(13)がターゲット位置(Z)に配置可能である真空チャンバ(4)と、レーザビーム(5)を駆動レーザ装置(2)からターゲット位置(Z)に向かってガイドするためのビームガイドチャンバ(3)とを有しているEUV放射線発生装置に関する。該EUV放射線発生装置(1)は、真空チャンバ(4)とビームガイドチャンバ(3)との間に設けられた中間チャンバ(18)と、レーザビーム(5)をビームガイドチャンバ(3)から入射させるための、中間チャンバ(18)をガス密に閉鎖する第1の窓(19)と、レーザビーム(5)を真空チャンバ(4)内に出射させるための、中間チャンバ(18)をガス密に閉鎖する第2の窓(20)とを有している。本発明は、EUV放射線発生装置(1)を運転する方法にも関する。 |
申请公布号 |
JP2015530617(A) |
申请公布日期 |
2015.10.15 |
申请号 |
JP20150532331 |
申请日期 |
2013.09.19 |
申请人 |
トルンプフ レーザーシステムズ フォー セミコンダクター マニュファクチャリング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングTRUMPF Lasersystems for Semiconductor Manufacturing GmbH |
发明人 |
マーティン ランベアト;アンドレアス エンツマン |
分类号 |
G03F7/20;H05G2/00 |
主分类号 |
G03F7/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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