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<p>본 개시는 반도체 광소자용 지지 기판;으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하며 성장 기판에 형성되는 복수의 반도체층으로부터, 성장 기판을 제거할 때 복수의 반도체층을 지지하도록 사용되는, 반도체 광소자용 지지 기판에 있어서, 복수의 반도체층을 기준으로 성장 기판의 반대 측에서 복수의 반도체층과 일체화되는 지지층; 지지층을 기준으로 복수의 반도체층의 반대 측에서 지지층과 일체화되는 희생층; 그리고 희생층을 기준으로 지지층의 반대측에 구비되며, 성장 기판이 제거된 복수의 반도체층의 휨을 억제하는 휨 억제층;으로서, 희생층 제거시 사용되는 제거 용액을 위한 통로가 형성된 휨 억제층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 광소자용 지지 기판에 관한 것이며, 또한, 이를 이용하는 반도체 광소자를 제조하는 방법에 관한 것이다.</p> |
