发明名称 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
摘要 【課題】基板上に形成される膜の特性や基板面内への処理均一性を向上、製造スループットを向上、パーティクル発生を抑制させる。【解決手段】基板が収容される処理室と、前記基板を支持し、外周に突出部を有する基板支持部と、前記処理室に設けられ、前記突出部と接触し、前記処理室と前記基板を搬送する搬送空間とを仕切る仕切部と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給部と、前記基板に前記処理ガスを供給する際に生じる前記突出部と前記仕切部との間隙に、パージガスを供給する仕切パージガス供給部と、を有する。【選択図】図1
申请公布号 JP5800964(B1) 申请公布日期 2015.10.28
申请号 JP20140148875 申请日期 2014.07.22
申请人 株式会社日立国際電気 发明人 豊田 一行;芦原 洋司;佐野 敦;赤江 尚徳;野内 英博
分类号 C23C16/44;H01L21/31;H01L21/324 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人
主权项
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