发明名称 |
基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
摘要 |
【課題】各種ガスの上方供給/上方排気を行う場合において、基板に対するプロセス処理を適切に行うことを可能にする。【解決手段】基板が載置される基板載置台と、基板載置台の上方側から基板の面上に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、処理ガス供給部の側方にて基板載置台の上方側から基板の面上に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、処理ガス供給部と不活性ガス供給部との間にて基板の面上に供給されたガスを基板の上方側へ排気する複数のガス排気部とを備えて、基板処理装置を構成する。【選択図】図2 |
申请公布号 |
JP5800952(B1) |
申请公布日期 |
2015.10.28 |
申请号 |
JP20140090479 |
申请日期 |
2014.04.24 |
申请人 |
株式会社日立国際電気 |
发明人 |
西堂 周平;和田 優一;佐々木 隆史 |
分类号 |
C23C16/455;H01L21/22;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/324 |
主分类号 |
C23C16/455 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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