synthetic mathod of self controlled MoS2 single layer by electroplating method and transistor using self controlled MoS2 single layer thereby

摘要

본 발명은 단일층 이황화몰리브덴 합성 방법에 관한 것으로서, 전기도금 공정을 이용하여 음극에 자기제어 이황화몰리브덴(MoS) 단일층(self controlled MoSsingle layer)을 증착시키는 제1단계와, 상기 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 증착 후 상기 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 결정화하는 제2단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법 및 이에 의해 제조된 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 이용한 트랜지스터를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기존의 단일층(single layer) 형성방법이 아닌 전기도금 공정에 의해 자기제어 방식으로 이황화몰리브덴 단일층이 합성되도록 하여, 저비용으로 이황화몰리브덴 단일층을 용이하게 구현할 수 있으며, 균일도가 개선되어 대면적, 고품질의 이황화몰리브덴 단일층을 제공할 수 있으며, 트랜지스터 재료에 적용할 수 있는 이점이 있다.