发明名称 基于电容充放电原理的半导体电阻率测绘仪及测绘方法
摘要 本发明公开了一种基于电容充放电原理的半导体电阻率测绘仪及测绘方法,测绘仪包括三轴运动平台、样品台、检测探头、数据采集卡、控制装置、氮气供应系统、脉冲电压发生电路,样品放置在样品台上,三轴运动平台控制检测探头定位到样品上需要测试的点位置的上方,脉冲电压发生电路向样品台施加低压脉冲信号,检测探头包括采样电极、采样电路、氮气输送通道,采样电极一端为探测面,另一端与采样电路相连,采样电路通过数据采集卡与控制装置相连。测试时,氮气供应系统输送氮气到采样电极与样品之间。控制装置根据采样电极采集的每个测量点的电荷变化计算出样品电阻率。本发明可实现半导体材料的电阻率分布式测量,直观且准确地反映材料的整体性能。
申请公布号 CN105158568A 申请公布日期 2015.12.16
申请号 CN201510547010.1 申请日期 2015.08.28
申请人 广州市昆德科技有限公司 发明人 王昕;李俊生;冯小明;田蕾
分类号 G01R27/02(2006.01)I 主分类号 G01R27/02(2006.01)I
代理机构 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人 裘晖;刘巧霞
主权项 基于电容充放电原理的半导体电阻率测绘仪,其特征在于,包括:三轴运动平台、样品台、检测探头、数据采集卡、控制装置、氮气供应系统、脉冲电压发生电路,样品放置在样品台上,所述样品台为金属平台,所述三轴运动平台用于控制检测探头定位到样品上每个需要测试的点位置的上方,所述脉冲电压发生电路向样品台施加低压脉冲信号,所述检测探头包括采样电极、采样电路、氮气输送通道,所述采样电极一端为探测面,设置在样品的正上方,另一端通过屏蔽电缆与采样电路相连,采样电路通过数据采集卡与控制装置相连;在测试时,氮气供应系统输送氮气到氮气输送通道,氮气从氮气输送通道的氮气喷射孔喷出,使采样电极与样品之间充满氮气以形成保护层;所述控制装置用于根据采样电极采集的每个测量点的电荷变化的弛豫时间计算出样品电阻率。
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