发明名称 |
热辅助磁记录介质和磁存储装置 |
摘要 |
一种热辅助磁记录介质,在具有:基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L1<sub>0</sub>结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中,所说的基底层的至少一个以MgO为主成分,并且含有选自SiO<sub>2</sub>、TiO<sub>2</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、ZrO<sub>2</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、CeO<sub>2</sub>、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物。该热辅助记录介质,具有磁性粒径微细,磁性粒子间的交换耦合充分低,并且矫顽力分散低的特性。 |
申请公布号 |
CN102822892B |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
CN201180016253.2 |
申请日期 |
2011.02.03 |
申请人 |
昭和电工株式会社 |
发明人 |
神边哲也;桥本笃志;福岛隆之 |
分类号 |
G11B5/738(2006.01)I;G11B5/02(2006.01)I;G11B5/64(2006.01)I;G11B5/65(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/738(2006.01)I |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 11247 |
代理人 |
段承恩;杨光军 |
主权项 |
一种热辅助磁记录介质,其特征在于,在具有基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L1<sub>0</sub>结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中,所说的基底层的至少一个以MgO为主成分,并且添加有选自SiO<sub>2</sub>、TiO<sub>2</sub>、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>、ZrO<sub>2</sub>、Y<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、CeO<sub>2</sub>、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物,以MgO为主成分的基底层中所添加的氧化物的量的合计,基于该基底层整体在2摩尔%~40摩尔%的范围内。 |
地址 |
日本东京都 |