| 发明名称 | 用纳米线的分子递送 | ||
| 摘要 | 本发明提供分子递送装置，其包括用导电层包被的多个纳米线（例如,Si NW）。也公开的是由纳米线-介导的电穿孔递送分子的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103221091B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201180051218.4 | 申请日期 | 2011.09.28 |
| 申请人 | 哈佛学院院长等 | 发明人 | H·朴;J·鲁宾逊;A·苏滕;M·佐治理;A·K·沙勒克 |
| 分类号 | A61N1/32(2006.01)I;G01N33/53(2006.01)I;C12N5/00(2006.01)I;B82Y5/00(2006.01)I | 主分类号 | A61N1/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 罗菊华 |
| 主权项 | 分子递送装置，其包含：具有表面的基体，以及附接于表面的多个纳米线；其中基体导电，至少一部分所述纳米线具有20～10,000nm的高度和10～500nm的直径，并且至少一部分所述纳米线包含半导体或绝缘物质且用导电层包被，所述导电层由金属形成，其中所述导电层与所述纳米线直接接触。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞 | ||