发明名称 整合连接层的光电活性的、基于硫属元素的薄膜结构
摘要 本发明提供了改进的含硫属元素的光伏结构及相关组成、整合了这些结构的光伏器件、制备这些结构和器件的方法以及使用这些结构和器件的方法。根据本发明的原理,通过使用含硫属元素连接层提高了PACB组合物的粘附性。
申请公布号 CN102893370B 申请公布日期 2015.12.16
申请号 CN201180022880.7 申请日期 2011.03.14
申请人 陶氏环球技术有限责任公司 发明人 J·E·格比
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01L21/36(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 吴亦华;徐志明
主权项 制备含硫属元素的光吸收结构的方法,其包括以下步骤:(a)在低于350℃的温度下溅射至少一个靶,在衬底上形成包含至少铜、铟和至少一种硫属元素的第一光敏薄膜前体;和(b)在有效地将所述第一光敏薄膜前体转化成具有第一晶粒形态的第一晶体PACB组合物的条件下使所述第一光敏薄膜前体经受退火和/或硫属元素化处理;和(c)在所述第一晶体PACB组合物或其前体上直接或间接地提供第二光敏薄膜,所述第二光敏薄膜包含至少铜和铟,其中所述第二光敏薄膜具有第二晶粒形态,其中所述第一晶粒形态具有比所述第二晶粒形态更细的晶粒结构;且其中所述第一光敏薄膜前体的退火和/或硫属元素化处理发生在所述第二光敏薄膜形成之前、形成过程中和/或形成之后。
地址 美国密歇根州