藉由微波电浆处理以提升半导体装置中之高介电常数膜成核速率及电移动度的方法;METHOD OF ENHANCING HIGH-K FILM NUCLEATION RATE AND ELECTRICAL MOBILITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE BY MICROWAVE PLASMA TREATMENT

摘要

在数个实施例中揭露用以形成半导体装置的方法。依据一实施例，该方法包含:在一制程腔室中提供基板；使由H2及选择性之钝气所组成之制程气体流入该制程腔室中；藉着微波电浆来源由该制程气体形成电浆激发物种。该方法更包含:将该基板上的界面层暴露于该电浆激发物种，以形成改质界面层；以及藉由原子层沉积法(ALD)在该改质界面层上沉积高介电常数(高k)膜。在若干实施例中，该改质界面层具有比该界面层高的电移动度，并且该高k膜在该改质界面层上相较于其在该界面层上以较高的速率成核。