半导体制程;FABRICATION METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE

摘要

本发明提供一种半导体制程，系包含以下步骤。首先，在一基底上形成一闸极结构，并且在该基底及该闸极结构上形成一第一材料层。接着，将硼掺质布植至该闸极结构两侧之该基底中，形成一第一掺杂区，并且将P型导电掺质布植至该闸极结构两侧之该基底中，形成一第二掺杂区。随后，在该第一材料层上形成一第二材料层。最后，依序蚀刻该第二材料层、该第一材料层以及该基底，且在该闸极结构两侧之该基底形成一凹槽，其中，该凹槽位在该第一掺杂区之范围内。