可调控超薄二维纳米g-C₃N₄膜及其制备方法与应用

摘要

本发明属于分离膜材料技术领域，公开了一种可调控超薄二维纳米g-C₃N₄膜及其制备方法与应用。所述制备方法为：将双氰胺或三聚氰胺在惰性气氛下热处理，得到结块的g-C₃N₄，经研碎后在空气气氛下煅烧，得到g-C₃N₄粉末，然后将其分散于溶剂中得到g-C₃N₄二维纳米片溶液，再加入电解质溶液进行改性，将g-C₃N₄二维纳米片沉积在孔径大于200nm的多孔载体上，形成二维g-C₃N₄超薄膜，最后干燥除去溶剂，即可得到负载于多孔载体上的可调控超薄二维纳米g-C₃N₄膜。本发明的g-C₃N₄膜透水能力强，分离效率高，具有广阔的应用前景。

主权项

一种可调控超薄二维纳米g‑C₃N₄膜的制备方法，其特征在于：包括以下制备步骤：(1)将双氰胺或三聚氰胺放入气氛炉中，在惰性气氛及400～700℃温度下热处理，得到结块的g‑C₃N₄；(2)将结块的g‑C₃N₄研碎，再次放入气氛炉中，在空气气氛下及500～600℃下煅烧，得到煅烧后的g‑C₃N₄粉末；(3)将煅烧后的g‑C₃N₄粉末分散于溶剂中，超声处理后离心，取其上清液，即可得到g‑C₃N₄二维纳米片溶液；(4)往步骤(3)的溶液中加入电解质溶液进行改性，然后将改性后的溶液通过纳米组装技术将g‑C₃N₄二维纳米片沉积在孔径大于200nm的多孔载体上，形成二维g‑C₃N₄超薄膜，最后干燥除去膜上的溶剂，即可得到负载于多孔载体上的可调控超薄二维纳米g‑C₃N₄膜。