发明名称 |
一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路 |
摘要 |
本实用新型公开了一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路,包括功率因数校正控制芯片、第一电阻R1、二极管V1、第二电阻R2、电容C1、MOS管V2,第一电阻R1的第一端与功率因数校正控制芯片的门驱动脚相连,第一电阻R1的第二端与二极管V1的阳极相连,二极管V1的阴极与第二电阻R2的第一端相连,第二电阻R2的第二端接控制地,电容C1与第二电阻R2并连,MOS管的栅极与二极管V1的阴极相连,MOS管的源极与控制地相连,MOS管漏极接至DC/DC变换电路的启动控制。本实用新型电路适用于中小功率的开关电源,相对于传统的功率因数校正启动检测电路,本实用新型电路具有电路简洁,无需外接电源等优点。 |
申请公布号 |
CN204883462U |
申请公布日期 |
2015.12.16 |
申请号 |
CN201520463083.8 |
申请日期 |
2015.07.01 |
申请人 |
武汉永力科技股份有限公司 |
发明人 |
曹满欣 |
分类号 |
G05F1/70(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/70(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种功率因数校正控制芯片的启动检测电路,包括功率因数校正控制芯片,其特征在于还包括第一电阻、二极管、第二电阻、电容、MOS管,所述第一电阻的第一端与功率因数校正控制芯片的门驱动脚相连,所述第一电阻的第二端与二极管的阳极相连;所述二极管的阴极与第二电阻的第一端相连,第二电阻的第二端接控制地;所述电容与第二电阻并连;所述MOS管的栅极与二极管的阴极相连,MOS管的源极与控制地相连,MOS管漏极接至DC/DC变换电路的启动控制。 |
地址 |
430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区武大科技园9-2号 |