用于制造半导体材料之晶体的装置和方法;APPARATUS AND PROCESS FOR PRODUCING A CRYSTAL OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

摘要

用于制造半导体材料之晶体的装置和方法。该装置包括一坩埚，具有一坩埚底和一坩埚壁，其中，所述坩埚底具有一上表面和一底面和多个开口，所述多个开口系布置在所述坩埚壁和所述坩埚底的中心之间，并且其中，在所述坩埚底的所述上表面和所述底面上布置有突起，以及一感应加热线圈，所述感应加热线圈系布置在所述坩埚下面并系提供用于熔融半导体材料和稳定半导体材料的熔体，所述熔体系覆盖一正在生长的半导体材料晶体。方法包括在所述坩埚底的所述上表面上产生一半导体材料进料的床并使用所述感应加热线圈熔融所述床的半导体材料。; and an induction heating coil which is disposed below the crucible and is provided for melting semiconductor material and stabilizing a melt of semiconductor material covering a growing crystal of semiconductor material. The process comprises generating a bed of a semiconductor material feed on the top surface of the crucible bottom and melting semiconductor material of the bed using the induction heating coil.