立体结构的磁隧道结的形成方法及形成设备

摘要

本发明实施例提供了一种立体结构的磁隧道结的形成设备，所述形成设备的结构简单，为本发明实施例的立体结构的磁隧道结的形成方法提供了有利条件。本发明实施例的形成方法中，发明人采用固体的第一反应物和气态的第二反应物利用原子层沉积工艺，形成作为立体结构的磁隧道结中的磁材料层的MgO薄膜，形成的MgO薄膜的质量好，后续形成的磁存储器的可靠性高。

主权项

一种立体结构的磁隧道结的形成设备，包括：用于形成隧道绝缘材料层的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括：镀膜室，所述镀膜室一腔室壁上具有至少一个开孔；位于所述镀膜室内的第一加热器，所述第一加热器位于所述开孔位置的正下方；位于所述镀膜室上的第二加热器，所述第二加热器位于所述镀膜室的上方，所述第二加热器具有第一通孔，且所述第一通孔的位置与所述开孔的位置相对应；子反应腔，所述子反应腔位于所述第二加热器表面，且与所述开孔相连，用于向镀膜室提供固态的第一反应物；所述反应腔室还包括：分布盘，所述分布盘位于所述镀膜室内、且位于所述第一加热器和第二加热器之间，所述分布盘上具有多个第二通孔，所述第二通孔的直径小于所述镀膜室的开孔的直径。