| 发明名称 | 具有硅化镍接触区的半导体结构及形成方法 | ||
| 摘要 | 一种具有硅化镍接触区的半导体结构及形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成离子掺杂区；在所述离子掺杂区内形成凹槽，所述凹槽伸入到栅极结构下方；在所述凹槽内形成二硅化镍材料层，利用干法刻蚀除去未被栅极结构遮挡的二硅化镍材料层，形成位于所述凹槽内靠近栅极结构一侧的侧壁表面的二硅化镍层；在所述凹槽内形成外延层，利用所述外延层形成硅化镍接触区。由于所述形成的二硅化镍层位于硅化镍接触区靠近栅极结构一侧的侧壁表面，阻挡了后续形成的倒棱锥体的硅化镍或二硅化镍钉入到MOS晶体管栅极结构下方的沟道区内，避免发生源/漏区击穿或短路。 | ||
| 申请公布号 | CN103000528B | 申请公布日期 | 2015.12.16 |
| 申请号 | CN201110276571.4 | 申请日期 | 2011.09.16 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 禹国宾 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种具有硅化镍接触区的半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成栅极结构，在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成离子掺杂区；在所述离子掺杂区内形成凹槽，所述凹槽伸入到栅极结构下方；在所述凹槽内靠近栅极结构一侧的侧壁表面形成二硅化镍层，其中，形成所述二硅化镍层的方法为：在所述凹槽内形成二硅化镍材料层，利用干法刻蚀除去未被栅极结构遮挡的二硅化镍材料层，在所述凹槽内靠近栅极结构一侧的侧壁表面形成二硅化镍层；在所述凹槽内形成外延层，利用所述外延层形成硅化镍接触区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||