一种用于壬基酚检测的无标记电化学免疫传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于壬基酚检测的无标记电化学免疫传感器的制备方法，属于新型纳米功能材料和环境检测技术领域。本发明首先采用一锅法制备了二硫化钼/金钯合金纳米复合材料MoS₂/AuPd，进而利用其优异的吸附和电化学催化性能制得了简单、快速、灵敏的可用于实际样品中壬基酚检测的无标记电化学免疫传感器。

主权项

一种用于壬基酚检测的无标记电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，制备步骤为：（1）取35 mL的十六烷基三甲基溴化铵CTAB溶液，加入2~6 mL的氯金酸HAuCl₄溶液和2~6 mL的氯钯酸H₂PdCl₄溶液，搅拌15分钟后，继续搅拌并相继加入2~6 mL的抗坏血酸溶液，0.5~1.5 mL的钼酸钠Na₂MoO₄溶液和0.01~0.03 g 硫化钠Na₂S，搅拌15分钟后，放入反应釜中，在150~220℃下，反应12~16小时；冷却至室温后，使用去离子水离心洗涤，在40 ℃下进行真空干燥，即制得二硫化钼/金钯合金纳米复合材料MoS₂/AuPd，将其溶于去离子水制得MoS₂/AuPd溶液；（2）以直径4 mm的玻碳电极为工作电极，在电极表面滴涂5~12 µL 的MoS₂/AuPd溶液，室温下晾干；（3）将步骤（2）中得到的电极用去离子水清洗，室温下晾干成膜，在电极表面滴涂5~12 µL的壬基酚抗体溶液，4 ℃ 冰箱中保存晾干；（4）将步骤（3）中得到的电极用去离子水清洗，继续在电极表面滴涂5~10 µL的牛血清白蛋白BSA溶液，4 ℃ 冰箱中保存晾干，用去离子水清洗，4 ℃ 冰箱中晾干成膜，制得无标记电化学免疫传感器；所述的CTAB溶液的浓度为0.1 mol/L，所述的HAuCl₄浓度为0.06 mol/L，所述的H₂PdCl₄浓度为0.03 mol/L，所述的抗坏血酸溶液浓度为0.3 mol/L，所述的Na₂MoO₄溶液浓度为0.1 mol/L；所述的MoS₂/AuPd溶液浓度为1 mg/mL；所述的壬基酚抗体溶液浓度为10 µg/mL；所述的BSA溶液浓度为100 µg/mL。